薄膜衬底
用途：制作半导体器件，红外光学器件，及太阳能电池衬底等材料。
联系人：徐经锂
手 机：13855129449
联系人：刘经理
手 机：13721080069
邮 箱：saleswafer@126.com
电 话：0551-63468281
地 址：安徽省合肥市蜀山区山湖路558号
|
主要性能参数
|
|||
|
生长方法
|
提拉法
|
||
|
晶体结构
|
立方
|
||
|
晶格常数
|
a=5.65754 Å
|
||
|
密 度
|
5.323g/cm3
|
||
|
熔点
|
937.4℃
|
||
|
掺杂物质
|
不掺杂
|
掺Sb
|
掺Ga
|
|
类型
|
/
|
N
|
P
|
|
电阻率
|
＞35Ωcm
|
0.01~10Ωcm
|
0.01~10Ωcm
|
|
EPD
|
＜4×103∕cm2
|
＜4×103∕cm2
|
＜4×103∕cm2
|
|
尺寸
|
10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
|
||
|
Dia4",Dia3";Dia2”;或按照客户要求划片
|
|||
|
厚度
|
0.5mm，1.0mm
|
||
|
抛光
|
单面或双面
|
||
|
晶向
|
<100>、<110>、<111>、±0.5º
|
||
|
晶面定向精度:
|
±0.5°
|
||
|
边缘定向精度:
|
2°（特殊要求可达1°以内）
|
||
|
斜切晶片
|
可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
|
||
|
Ra:
|
≤5Å（5µm×5µm）
|
||
|
包装
|
100级洁净袋，1000级超净室
|
||
Copyright © 3308维多利亚线路检测中心(中国)有限公司有限公司 备案号：皖ICP备2022001193号
