NdGaO3是近十年中发展起来的新型基片，主要用作高温超导体（如YBCO）及磁性材料的外延薄膜生长用基片。由于NdGaO3与YBCO的晶格失配很小（~0.27%），且无结构相变，在NdGaO3基片上可外延生长质量良好的薄膜。 
联系人：徐经锂
手 机：13855129449
联系人：刘经理
手 机：13721080069
邮 箱：saleswafer@126.com
电 话：0551-63468281
地 址：安徽省合肥市蜀山区山湖路558号
NdGaO3是近十年中发展起来的新型基片，主要用作高温超导体（如YBCO）及磁性材料的外延薄膜生长用基片。由于NdGaO3与YBCO的晶格失配很小（~0.27%），且无结构相变，在NdGaO3基片上可外延生长质量良好的薄膜。 |
主要性能参数
|
|
|
晶体结构
|
正交
|
|
晶胞参数Å
|
a=5.43、b=5.50、c=7.71
|
|
熔点
|
1600℃
|
|
密度
|
7.57g/cm3
|
|
介电常数
|
25
|
|
生长方法
|
提拉法
|
|
尺寸
|
10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
|
|
Ф15,Ф20，Ф1″，Ф2″,Ф2.6″
|
|
|
厚度
|
0.5mm，1.0mm
|
|
抛光
|
单面或双面
|
|
晶向
|
＜100＞ ＜110＞ ＜111＞
|
|
晶面定向精度:
|
±0.5°
|
|
边缘定向精度:
|
2°（特殊要求可达1°以内）
|
|
斜切晶片
|
可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
|
|
Ra:
|
≤5Å（5µm×5µm）
|
|
包装
|
100级洁净袋，1000级超净室
|
Copyright © 3308维多利亚线路检测中心(中国)有限公司有限公司 备案号：皖ICP备2022001193号
