铝酸锂单晶与氮化镓的晶格失配率非常小（铝酸锂为1.4%）而成为氮化镓薄膜的优质基片。 
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铝酸锂单晶与氮化镓的晶格失配率非常小（铝酸锂为1.4%）而成为氮化镓薄膜的优质基片。 |
主要性能参数
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晶体结构
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四方
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晶格常数
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a=5.17 A c=6.26 A
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熔点（℃）
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1900
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密度
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2.62（g/cm3）
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硬度
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7.5（mohs）
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与GaN失配率<001>
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1.4%
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尺寸
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10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
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Ф15,Ф20，Ф1″，Ф2″,Ф2.6″
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厚度
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0.5mm，1.0mm
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抛光
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单面或双面
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晶向
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＜100＞ ＜001>
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晶面定向精度:
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±0.5°
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边缘定向精度:
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2°（特殊要求可达1°以内）
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斜切晶片
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可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
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Ra:
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≤5Å（5µm×5µm）
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包装
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100级洁净袋，1000级超净室
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